Dh'fhoillsich Samsung na planaichean aige anns a 'ghnìomhachas semiconductor aig co-labhairt anns na Stàitean Aonaichte. Sheall e mapa-rathaid a’ sealltainn gluasad mean air mhean gu 7nm LPP (Cumhachd Ìosal Plus), 5nm LPE (Cumhachd Ìosal Tràth), 4nm LPE/LPP agus teicneòlas 3nm Gate-All-Around Early/Plus.
Tòisichidh fuamhaire Corea a Deas a’ dèanamh teicneòlas 7nm LPP, a chleachdas lithography EUV, san dàrna leth den ath-bhliadhna, agus aig an aon àm tha co-fharpaiseach TSMC ag iarraidh cinneasachadh a thòiseachadh le pròiseas 7nm + leasaichte agus cinneasachadh cunnartach a thòiseachadh le pròiseas 5nm. .
Tòisichidh Samsung saothrachadh chipsets leis a’ phròiseas 5nm LPE aig deireadh 2019 agus pròiseas 4nm LPE/LPP ann an 2020. Is e an teicneòlas 4nm a thig gu bhith mar an teicneòlas mu dheireadh a chleachdas transistors FinFET. Thathas an dùil gun lughdaich an dà chuid am pròiseas 5nm agus 4nm meud an chipset, ach aig an aon àm àrdachadh coileanaidh agus lughdachadh caitheamh.
A’ tòiseachadh le teicneòlas 3nm, gluaisidh a’ chompanaidh gu ailtireachd MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around) aca fhèin. Ma thèid a h-uile càil a rèir a’ phlana, bu chòir chipsets a thoirt a-mach ann an 3 a’ cleachdadh pròiseas 2022nm.
