Tha smachd aig Samsung air a’ mhargaidh cuimhne semiconductor, leis a’ chompanaidh à Corea a Deas a’ coimhead ri a shuidheachadh a neartachadh le bhith a’ tasgadh ann an loidhnichean toraidh a bharrachd. Anns a ’Mhàrt an-uiridh, dh’ ainmich Samsung gu robh iad air $ 8,7 billean a chomharrachadh gus loidhnichean toraidh a thogail airson cuimhne flash NAND ann an Hwaseong, Korea a-Deas, agus Xian, Sìona.
Barrachd air bhog chun uachdar informace, a tha an turas seo ag agairt gu bheil Samsung an dùil toraidhean na loidhne a leudachadh ann an Xian, Sìona, leis gu bheil e airson dèiligeadh ris an iarrtas a tha a’ sìor fhàs airson cuimhneachain flash.
Tha iarrtas nas motha airson semiconductors air toirt air Samsung goireasan saothrachaidh a leudachadh gus a phrìomh àite sa mhargaidh a chumail suas. A-cheana air a ’mhìos a chaidh, cho-dhùin a’ chompanaidh tasgadh a dhèanamh ann an loidhnichean toraidh airson cinneasachadh chips cuimhne ann am Pyeongtaek, Korea a-Deas. Chunnaic a’ chiad loidhne riochdachaidh aig factaraidh Pyeongtaek solas an latha timcheall air dà bhliadhna air ais. Thòisich cinneasachadh a’ cheathramh ginealach de chips cuimhne V-NAND an seo san Iuchar 2017.
Tha dùil gun tòisich Samsung a’ leudachadh an ionad saothrachaidh aca ann an Xian air a’ mhìos seo. Cho-dhùin Samsung 7 billean dolar a leigeil ma sgaoil airson na h-adhbharan sin, a bu chòir a thasgadh mean air mhean anns a ’phlannt thairis air na trì bliadhna a tha romhainn.
Tobar: SamMobile
